3D XPoint: da Intel e MIcron la memoria che soppianterà la tecnologia NAND

3D XPoint, pronunciato 3D cross point, il nome scelto da Intel e Micron per identificare un nuovo tipo di tecnologia di memoria presentato congiuntamente dalle due aziende. Si tratta di

memoria ad elevate prestazioni, caratterizzata da una elevata densit complessiva e di tipo non volatile, grazie alla quale poter fornire pi velocemente i dati al processore affinch vengano elaborati da quest'ultimo.

L'architettura ha permesso di ottenere, stando a quanto anticipato da Intel e Micron, memorie con una velocit sino a 1.000 volte superiore rispetto alle tradizionali soluzioni NAND, che sono sino a 10 volte pi dense e che vantano il requisito della non volatilit quindi sono in grado di mantenere le informazioni integre anche quando non vengono alimentate. Non solo questo: le due aziende hanno anche indicato un incremento di 1.000 volte della endurance delle memorie, cio della loro capacit di mantenere integre le informazioni su esse salvate, rispetto alle soluzioni NAND. Questa tecnologia prerogativa di Intel e Micron, per la quale non prevedono quantomeno al momento di estendere a terze parti la produzione.

La prima implementazione di questa tecnologia prevede che in ogni chip memoria siano messi a disposizione 128Gbit per i dati, con un numero che destinato a crescere nel momento in cui un maggior quantitativo di strati di chip verr sovrapposto uno sull'altro. L'approccio con stacking dei chip memoria pu ricordare in parte quanto introdotto recentemente da AMD con la memoria HBM, High Bandwidth Memory, abbinata alle proprie GPU della famiglia Fiji: si tratta per di tecnologie molto differenti tra di loro, destinate ad ambiti applicativi non direttamente comparabili in primo luogo perch quella HBM una tecnologia di memoria di tipo volatile.

La peculiarit della tecnologia 3D XPoint quella di memorizzare i dati agendo su modifiche effettuate sul materiale che compone le celle memoria, intervenendo su tutto il materiale e non solo su una sua parte: un approccio radicalmente differente rispetto a quanto adottato sino ad ora per le memorie e una radicale rivoluzione per questo settore. In questo modo si ottiene quell'incremento di densit indicato in precedenza e una conseguente riduzione delle dimensioni complessive grazie anche ad un pi efficiente stacking delle celle memoria. Le informazioni possono venir scritte sulle memorie intervenendo in piccoli quantitativi, al contrario delle memorie NAND che richiedono che grandi blocchi di dati vengano scritti ogni volta,

Le prime soluzioni basate su tecnologia 3D XPoint sono attese nelle mani di alcuni clienti delle due aziende entro la fine dell'anno, anche se riteniamo che una adozione diffusa di questa tecnologia richieder un periodo di tempo ben pi lungo. I moduli sono attualmente in produzione con tecnologia a 20 nanometri: Intel ha mostrato wafer di questi prodotti. L'ambito di utilizzo di riferimento di 3D XPoint quello delle soluzioni nelle quali capacit e velocit della memoria rappresentano requisiti imprescindibili: pensiamo quindi ai datacenter e pi in generale a quelle applicazioni che richiedono che una elevata quantit di dati venga costantemente elaborata dal processore.

Gli incrementi prestazionali garantiti da 3D XPoint, stando a quanto anticipato da Intel e Micron, sono per molti versi rivoluzionari. Le memorie DRAM continueranno a restare il riferimento per quanto concerne le pure prestazioni velocistiche, ma con 3D XPoint le due aziende puntano a ottenere un ideale connubio tra le prestazioni velocistiche proprie delle memorie DRAM con le caratteristiche operative delle memorie NAND, in primis la possibilit di mantenere i dati memorizzati anche quando non alimentate.

Quali saranno le ricadute pratiche per il pubblico dei consumatori? Ad esempio la possibilit di avere SSD che siano 10 volte pi veloci rispetto a quanto accessibile al momento con tecnologia NAND, ottenendo un parallelo aumento nella densit di memorizzazione dei dati e quindi un pi ridotto ingombro dei dispositivi. A che prezzo? Intel e Micron non si sono particolarmente sbilanciate, se non riferendosi ad un attendersi un costo medio a met strada tra quello delle memorie DRAM e quello delle soluzioni NAND.


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