Avalanche Technology si prepara ad entrare nel mercato delle memorie STT-MRAM

Il mercato delle memorie MRAM attualmente popolato da un solo player, Everspin, l'unico fino ad ora capace di commercializzare prodotti basati su tecnologia in-plane Magnetic Tunnel Junction. L'egemonia di Everspin

potrebbe per vacillare presto, con Avalanche Technology che sta effettuando la produzione dei primi sample di memorie STT-MRAM (Spin Transfer Torque) e si appresta quindi all'ingresso sul mercato.

Michael Ofstedahl, Vice President Business Development per Avalanche, ha osservato che la compagnia ha volutamente mantenuto riserbo sulle proprie attivit fino a quando non si reso disponibile un prodotto pronto per la commercializzazione. Avalanche ha deciso di basare le proprie memorie STT-MRAM su celle realizzate con tecnologia perpendicular Magnetic Tunnel Junction cos da poter assicurare una produzione ad alto volume e a basso costo, grazie alla possibilit di usare un processo CMOS standard a 300mm. "Se si tratta di una strada commercialmente percorribile, allora deve essere su wafer a 300mm con litografia avanzata. Non vogliamo che si tratti di qualcosa di nicchia, stato molto difficile mettere insieme il tutto" ha dichiarato Ofstedahl.

Le memorie Magnetic RAM presentano una serie di vantaggi rispetto agli altri tipi di memorie presenti sul mercato: minore consumo energetico, maggiore velocit di lettura/scrittura, pi estesa durata nel corso tempo e la non-volatilit delle informazioni (i dati vengono mantenuti in assenza di corrente). Le memorie STT-MRAM operano sulla base della variazione della direzione dei campi magnetici a seconda dell'applicazione di una corrente elettrica. La direzione di un campo magnetico determina infatti una resistenza che pu essere interpretata, a seconda della sua intensit, come "0" o come "1".

Ofstedahl osserva che la tecnologia in-plane Magnetic Tunnel Junction non in grado di scalare adeguatamente al di sotto dei 90 nanometri e non competitiva, se si guarda ai costi, sui wafer da 200mm. Le memorie STT-MRAM basate su perpendicular Magnetic Tunnel Junction sono invece capaci di scalare fino ad oltre 10 nanometri ed essere competitive con altre tecnologie di memoria, rendendole un'alternativa percorribile per le memorie DRAM e Flash in applicazioni a bassa e media densit.

Avalanche sta effettuando il sample di chip di memoria STT-MRAM da 32/64 megabit con interfaccia SPI standard realizzata con processo a 55 nanometri. Le celle pMTJ combinate con la produzione CMOS su wafer a 300mm la chiave per l'accesso alla possibilit di commercializzazione. "E' un grande passo avanti per noi e per il settore" ha dichiarato Osdtedahl, il quale sottolinea come adesso esista un ecosistema per la produzione di STT-MRAM ad alti volumi su wafer da 300mm e a meno di 40nm.


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