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Onde T per rendere le memorie dei computer 1000 volte più veloci

Ricercatori europei hanno proposto un nuovo metodo che utilizza le radiazioni Terahertz (onde T o submillimetriche) per effettuare modifiche alle singole celle che compongono le memorie, un fenomeno che viene realizzato
oggi attraverso l'uso di un campo magnetico esterno. Secondo quanto si legge su Nature Photonics, sostituendo le metodologie attuali con le onde T è possibile aumentare la velocità del processo di reset delle celle di un fattore di 1000, che si tradurrebbe all'atto pratico in memorie estremamente più veloci rispetto a quelle odierne. Per radiazione Terahertz si intende una serie di impulsi elettromagnetici con una lunghezza d'onda di circa 0,1mm inviata ad una frequenza di un terahertz, come leggiamo sui documenti rilasciati dagli scienziati coinvolti nel progetto. Una tecnologia a metà strada fra le microonde e gli infrarossi, molto simile a quella utilizzata dagli scanner diffusi negli aeroporti per il controllo di passeggeri e valigie prima degli imbarchi. Oltre alle ispezioni di materiali organici e meccanici, tuttavia, le onde T potrebbero avere un ruolo predominante all'interno dei nostri personal computer, e non solo. Grazie alla sua precisione la tecnologia potrebbe essere utilizzata per scandagliare la parte interna di microchip difettosi o leggere dentro libri chiusi (ad esempio utile per scopi scientifici su documenti estremamente fragili appartenenti ad epoche passate). Sono stati molti gli esperimenti condotti ultimamente sulle Onde T, tuttavia riuscire a domarle per un uso su scala globale non sembra un compito semplice. Nello studio riportato da Nature gli scienziati hanno mostrato il concept sfruttando un magnete debole, tullio ortoferrite (TmFeO₃), e sottolineandone i vantaggi. Durante l'esperimento è stato dimostrato che l'effetto delle Onde T è decine di volte superiore rispetto a quello di un campo magnetico tradizionale, con evidenti benefici su velocità ed efficienza all'interno del processo di cambio di stato della cella. Tuttavia si tratta di una dimostrazione teorica: il team non ha ancora mostrato gli effetti su una memoria vera e propria e come spesso accade con questo tipo di novità passerà del tempo prima di vedere applicata la tecnologia all'interno di prodotti venduti regolarmente al grande pubblico. Ma potrebbe anche non vedere mai la luce.

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